ANSYS通過臺積電的7nm FinFET PLUS工藝技術和基于內(nèi)存基板應用的集成扇出型高級封裝技術認證
2018-10-26
2018年10月2日,ANSYS宣布,ANSYS解決方案已通過臺積電的7nm FinFET Plus(N7+)工藝技術節(jié)點認證,支持EUV(極紫外線光刻技術)技術,而且參考流程經(jīng)驗證可支持最新的基于內(nèi)存基板應用的集成扇出型(InFO_MS)高級封裝技術。上述認證和驗證對于無晶圓廠的半導體企業(yè)非常重要,有助于其仿真工具通過嚴格的測試和驗證過程,從而支持新的工藝節(jié)點和封裝技術。
ANSYS? RedHawk?和ANSYS? Totem?通過了臺積電N7+工藝技術認證,能提供支持EUV的相關特性。N7+的認證包括提取、電源完整性和可靠性、信號電遷移(EM)和熱可靠性分析等方面。
業(yè)界領先的臺積電InFO高級封裝技術經(jīng)過擴展后可將內(nèi)存子系統(tǒng)和邏輯芯片集成在一起。臺積電和ANSYS改進了現(xiàn)有的InFO設計流程,支持新型InFO_MS封裝技術,并使用ANSYS SIwave-CPA、ANSYS? RedHawk-CPA?、ANSYS? RedHawk-CTA?、ANSYS? CMA?和ANSYS? CSM?及相應的芯片模型驗證了參考流程。InFO_MS參考流程包括晶片和封裝的協(xié)同仿真和協(xié)同分析,支持提取、電源和信號完整性分析、電源和信號電遷移分析以及熱分析等。
臺積電設計基礎設施市場營銷部門的高級總監(jiān)Suk Lee指出:“臺積電和ANSYS的最新N7+認證合作和InFO_MS支持工作能幫助客戶滿足新一代芯片和封裝對于更高性能、可靠性和功耗的要求。”
ANSYS半導體事業(yè)部總經(jīng)理John Lee指出:“隨著智能互聯(lián)電子設備的數(shù)量不斷增多,制造商必須跟上發(fā)展步伐,設計出節(jié)能型、高性能、可靠性產(chǎn)品,同時降低成本,縮小封裝。ANSYS半導體解決方案可滿足功率、熱、可靠性等復雜的多物理場挑戰(zhàn),也能應對工藝變化對產(chǎn)品性能的影響。ANSYS的綜合芯片封裝系統(tǒng)解決方案支持芯片感知系統(tǒng)和系統(tǒng)感知芯片簽核,有助于雙方共同的客戶以更大的信心加速設計收斂?!?
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